全球 AI 资料中心建设狂潮推升记忆体需求，三星电子（Samsung Electronics）本(11)月针对多款记忆体产品大幅调涨价格，涨幅最高达 60%，比 9 月价格高出一大截。两名知情人士透露，在供给短缺加剧之际，三星选择延后 10 月的月度合约价公告，并在本月一次性大幅调整价格。消息曝光后，三星、SK 海力士及美国记忆体厂商股价同步大涨，反映市场对 AI 带动需求的强烈预期。
知情人士指出，涨价主要集中在伺服器端使用的 DDR5 记忆体模组。记忆体通路商...
11 月 21 日消息，三星电子今日发布官方公告，宣布任命 dx 移动业务主管卢泰文（tmroh）为公司新任联合首席执行官。他将与现任 ds 事业部负责人全永鉉（young hyun jun）共同执掌三星电子，形成联席 ceo 架构。与此同时，卢泰文将继续全面负责 mx 移动体验部门的运营；全永鉉则继续领导存储器及相关半导体业务。
▲ 图源：三星电子
为强化技术战略与研发领导力，三星还宣布任命尹长贤（Janghyun Yoon）为 DX 事业部总裁兼首席技术官（C...
11月21日消息，据媒体报道，三星电子正推进存储芯片产能的重大战略转型，拟将位于韩国平泽和华城生产基地的部分NAND闪存生产线转为DRAM生产用途。
此举背后是市场供需格局的显著变化——业内人士透露，三星对当前NAND闪存市场的前景持保守态度，而对持续高涨的DRAM需求则采取主动扩张策略。
此前已有行业分析指出，包括三星、SK海力士、铠侠以及美光在内的全球四大NAND主要制造商，均计划于2025年下半年缩减NAND闪存产量，这一集体行动预计将推动闪存产品价格进一步...
“英伟达与amd正考虑削减甚至完全取消部分中低端显卡产品线。”近日，这一消息经《韩国经济日报》报道后，在显卡市场引发震动。
背后的推手正是目前全球火热的AI产业。AI应用对高性能计算和大容量存储的需求激增，已改变整个存储芯片市场的格局。CNMO了解到，存储芯片制造商们正将产能转向利润更高的高带宽内存（HBM），导致传统DRAM和NAND闪存供应紧张及价格暴涨。
从“配角”到“主角”
内存市场正经历一场前所未有的波动。过去两个多月，存储芯片价格持续攀升，现货市场行...
11月24日，受人工智能强劲需求拉动，dram市场正迎来一轮被称为“超级周期”的繁荣阶段，韩国两大存储巨头三星电子与sk海力士成为最大赢家。
随着高附加值产品及传统DRAM订单激增，行业分析指出，两家公司预计在2025年第四季度的DRAM平均销售价格（ASP）将显著攀升，涨幅甚至超出此前预估水平。
据透露，当前内存市场的供应紧张不仅体现在高端产品线，更蔓延至通用型产品。由于主要厂商将大量产能转向HBM（高带宽内存）生产，大幅压缩了DDR4等常规DRAM的产出比例，导致...
近日，根据三星电机与lg innotek发布的最新财报数据，两家公司在相机模块业务上的表现呈现明显分化。2023年第三季度，三星电机的相机模块平均售价（asp）同比上涨11.3%，延续了去年9.6%的增长趋势；而lg innotek同期的相机模块asp则下滑9.7%，今年上半年同比降幅更是达到13.6%。
据CNMO掌握的信息，LG Innotek在2022年时其摄像头模组ASP仍实现了10.7%的同比增长，但进入2023年后市场环境变化导致价格承压。尽管如此，该公...
近日，彭博社报道称，受人工智能（AI）基础设施建设推动，内存芯片需求持续攀升，戴尔、惠普等多家科技企业发出警告：2026年或将面临严重的内存芯片供应短缺。小米也已就潜在的价格上涨风险作出提示；而联想等厂商则开始提前储备库存，以应对不断上升的成本压力。市场研究机构 Counterpoint Research 在本月预测，到2026年第二季度前，内存模组价格可能上涨约50%。
此次短缺或将波及智能手机、医疗设备、汽车等多种现代电子产品，因内存芯片广泛应用于各类需数据存储...
本周四，韩国政府携手三星电子、现代汽车集团及多家企业共同组建了一个人工智能联合工作小组，旨在统筹规划26万颗gpu的部署方案，全面推进韩国全国范围内的人工智能基础设施建设。
此前，英伟达宣布将向韩国政府及多家大型企业供应超过26万颗最先进的AI芯片，标志着其在韩国市场的进一步扩张。该合作将使韩国所拥有的英伟达AI芯片总量从现有的6.5万颗提升至超过30万颗，令韩国有望成为继美国之后，全球最重要的AI计算中心之一。
韩国科学和信息通信部第二副部长Ryu Je-myu...
11月28日，据相关报道，三星电子近日对其高带宽存储器（hbm）研发团队进行了组织架构调整，取消原属半导体业务部门（ds）的独立hbm开发团队，将其人员整体划归至dram开发室。 此举引发了业界对三星在hbm领域发展节奏及内部协作机制的关注。
在此次调整中，原HBM团队成员将并入DRAM开发室下属的设计小组，继续承担下一代HBM产品的技术攻关与设计工作。此前负责HBM项目的孙永洙被任命为该设计小组的新负责人，全面主导后续研发进程。
未来，团队将集中力量推进HBM4与H...
11月28日消息，据行业消息透露，存储巨头铠侠（kioxia）与闪迪（sandisk）正考虑在美国合作建设nand闪存制造工厂，这一动向被认为是对美日两国政府推动半导体供应链本土化战略的积极响应。
目前，铠侠与闪迪联合运营的NAND晶圆厂均坐落于日本国内，主要集中在四日市和北上市。放眼全球，约90%的NAND闪存产能集中于东亚地区，产业布局高度集聚。
值得注意的是，三星电子、SK海力士以及美光等主要存储厂商此前宣布的美国投资计划，重点均放在DRAM或HBM等领域，并未...
