消息称三星电子 1c 纳米 DRAM 内存良率明显提升，设计改进起到关键作用
6 月 24 日消息，据韩国媒体 sedaily 当地时间本月 19 日的报道以及另一家韩媒 mk 今日的报道，三星电子第六代 10 纳米级（注：即 1c nm）dram 内存制造工艺，在设计优化等因素推动下，良率实现了显著提升。
SEDaily 报道指出，三星去年在 1c nm 内存上的良率尚不足 30%，而今年五月份进行的性能测试中，良率已上升至 50%~70%；MK 则提到了近期良率已超过 60% 的数据。
两家媒体均表示，此次良率大幅提升主要得益于重大的设...