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imec 展示 NbTiN 超导数字电路关键结构,可实现百倍能效提升

imec 展示 NbTiN 超导数字电路关键结构,可实现百倍能效提升
比利时imec微电子研究中心在ieee iedm 2024国际电子器件会议上展示了基于nbtin超导材料的数字电源关键模块,包括互连、约瑟夫森结和mim电容器。这些模块具有可扩展性,兼容300mm cmos制造工艺,并能承受420℃的高温工艺。 imec表示,其第一代超导数字电路的能效比7nm CMOS系统提升了100倍,性能提升了10到100倍。 ▲ imec提供的超导电路结构图 imec的NbTiN超导互联采用半大马士革集成工艺,实现了50nm的导线和通孔临界尺...