本站 11 月 15 日消息，《日本经济新闻》当地时间今日凌晨报道称，日本先进半导体代工企业 rapidus 购入的第一台 asml euv 光刻机将于 2024 年 12 月中旬抵达北海道新千岁机场，这也将成为日本全国首台euv 光刻设备。
根据 Rapidus 高管以往表态，该光刻机是较早期的 0.33 NA 型号，而非目前全球总量不足 10 台的 0.55 NA（High NA）款。
据悉本次整个空运任务将分多架次完成，新千岁机场还为这台对精度要求极高、不耐振动...
本站 12 月 19 日消息，日本先进逻辑半导体制造商 rapidus 宣布，其购入的首台 asml twinscan nxe:3800e 光刻机已于当地时间昨日在其北海道千岁市 iim-1 晶圆厂完成交付并启动安装。这也是日本境内首次引入量产用 euv 光刻设备。
Rapidus 首席执行官、日本政府代表、北海道及千岁市地方政府代表、ASML 高管、荷兰驻日本大使等相关人士出席了在北海道新千岁机场举行的纪念仪式。
NXE:3800E 是 ASML EXE 系列...
英特尔在2025年国际固态电路会议（isscc 2025）上发布了备受瞩目的intel 18a工艺技术，并重点介绍了其sram密度的大幅提升。英特尔官网也同步更新了相关信息，宣布intel 18a工艺已准备好支持客户项目，并计划于2025年上半年开始流片。
据报道，首批采用Intel 18A工艺的Panther Lake工程样品目前正在主要的PC原始设备制造商（ODM）/电子制造服务商（EMS）进行测试。然而，初步调查显示，Intel 18A工艺的良率仅为20%到3...
6 月 27 日消息，asml 技术高级副总裁 jos benschop 在接受《日经亚洲》采访时透露，公司已与光学组件独家合作伙伴蔡司共同启动了面向 5nm 分辨率的 hyper na 光刻机研发工作。
目前使用的 TWINSCAN EXE:5000 光刻系统搭载 High NA（0.55NA）光学系统，分辨率为 8nm。更高的分辨率将有助于先进制程厂商减少曝光步骤，并提升光刻图案的精度。
Jos Benschop 表示，ASML 尚未为 Hyper NA 光刻设备...
据益普索（ipsos）统计，全球用户每日平均使用手机的时间持续攀升，2024年已达到4小时/天，这一趋势直接推动了近视人口比例不断上升。预计到2025年，全球超过一半的人口将患有近视。在此背景下，护眼需求日益凸显，已成为消费者与显示产业链共同关注的核心议题。
正值6月6日全国爱眼日，天马微电子（以下简称“天马”）携手包括PConline在内的60多位媒体代表与KOL，走进其位于武汉的G6产业基地，开展主题为“让视界 更好看”的探厂活动。此次活动不仅让大家深入参观了全球领...
8 月 5 日消息，璞璘科技 prinano 近日宣布，已于 8 月 1 日成功向国内某特色工艺客户交付其自主研发的中国首台半导体级步进式纳米压印光刻（nil）系统——pl-sr。
在 PL-SR 系列设备的研发过程中，璞璘科技突破了喷墨涂胶工艺中的多项关键技术难题，实现了纳米级别的压印膜厚控制，达到平均残余层厚度＜10nm、残余层波动＜2nm、压印结构深宽比＞7:1 的性能指标，支持线宽小于 10nm 的 NIL 工艺应用。
据公司介绍，PL-SR 系列喷墨步进...
8月29日消息，台积电2nm工艺技术外泄案近日正式侦结，共有3人被提起公诉，最高可面临14年有期徒刑，案件后果极为严重。
此案还牵涉到日本半导体设备大厂KEL威力科创。主犯陈某原为台积电员工，离职后加入该公司。作为全球领先的半导体设备供应商，KEL在业内具有举足轻重的地位。
事件曝光后，威力科创迅速将涉事员工开除，并发布声明称，经内部调查，目前未发现任何机密信息被泄露至第三方，也未发现公司存在组织性指使该前员工获取不当资料的行为。
虽然企业层面已明确划清界限，但外界...
8月31日消息，作为全球规模最大且技术最前沿的半导体代工企业，台积电在制程工艺上持续拉大与竞争对手的差距，但与此同时，其所承受的全球政治与供应链压力也日益加剧，逐渐深陷于复杂的国际格局博弈之中。
据悉，台积电最新的2nm制程工艺预计将于2025年底正式进入量产阶段，2026年起将全面扩大产能。除了在中国台湾地区的新竹宝山与高雄工厂推进生产外，位于美国亚利桑那州的晶圆厂也计划于2028年投入2nm工艺的制造，进一步实现其全球生产布局。
近期有消息指出，台积电将自2nm制...
9月2日最新消息，尽管我国在半导体芯片产业持续加大投入并奋力追赶，但与国际领先水平相比，仍存在显著差距，尤其是在核心设备领域，该产业依然是我国科技发展面临“卡脖子”问题最突出的环节之一。
据全球知名投行高盛近期发布的研究报告指出，当前中国自主研发的光刻机仅能支持65nm制程芯片的制造，与行业龙头ASML的技术水平相差约20年。
报告分析称，即便中芯国际已实现7nm芯片的量产，其背后大概率仍依赖ASML早前推出的DUV深紫外光刻设备，因为中国尚未掌握先进光刻机的自主生产...
9月3日，美国知名投资银行高盛发布报告指出，中国在先进芯片制造领域相较西方国家仍存在约20年的技术差距。
报告特别提到，中国光刻设备制造商与美国领先企业相比，技术水平至少落后两代以上。作为半导体生产流程中的关键环节，光刻技术已成为制约中国自主生产高端芯片的主要障碍。目前全球最先进的光刻机由荷兰企业ASML掌握，而由于其设备中含有大量源自美国的组件，因此受到美国出口管制政策的影响，无法向中国出售包括极紫外光（EUV）在内的高端机型。
高盛分析认为，美国对中芯国际等本...