9月14日，SK海力士正式宣布，已率先完成全球首款新一代HBM4内存的研发工作，并全面进入可大规模量产的阶段。
此次推出的HBM4内存具备2048-bit的I/O接口位宽，单针脚带宽达到10Gbps，使得单颗芯片的数据传输速率最高可达2.5TB/s，性能表现极为亮眼。
值得一提的是，这一数值已超越JEDEC标准所定义的8Gbps门槛。SK海力士表示，该内存部署于AI系统中后，有望实现最高达69%的性能飞跃。
在制造工艺方面，SK海力士采用了自研的MR-MUF封装...
9月21日消息，在hbm内存市场上，曾经的行业领头羊三星一度落后于sk海力士和美光，成为第三家实现量产的企业。然而，面对hbm4这一关键节点，三星展现出强烈的反攻决心。
最新消息显示，三星的HBM3e产品在历经18个月的量产周期后，终于获得了NVIDIA的认证。此前已取得AMD的认可，这意味着其正式具备了向两大AI芯片巨头供货的资格。
尽管如此，由于SK海力士在HBM3e市场已建立起明显的先发优势，三星短期内难以大规模抢占份额。因此，其战略重心已全面转向新一代HBM4...
11月13日，据相关媒体报道，sk海力士已决定将下一代12层堆叠hbm4内存的扩产设备采购计划延后至明年初，原因是公司内部投资审议会议的时间推迟。
原本计划于10月召开的投资审议会议，由于节假日及集团内部人事调整等因素，顺延至11月底至12月初举行。只有在该会议通过相关投资案后，HBM4的设备采购程序才能正式展开。
尽管早前SK海力士与英伟达在HBM4的技术规格和价格方面存在争议，但双方近期已达成供货协议，关键合作障碍已被扫除。
现阶段，SK海力士提供给英伟达的HB...
相比于常规的ddr内存，hbm高带宽内存才是ai时代的宠儿。sk海力士已于2025年3月出货全球首款12层hbm4样品，成为首个向主要客户交付hbm4的存储厂商，未来将用于nvidia rubin架构数据中心gpu以及amd mi400系列平台。
目前在NVIDIA Blackwell平台上所采用的HBM3E内存，已实现单颗封装36GB（12层堆叠，采用24Gb颗粒），并搭配1024-bit I/O接口。
现场展示的系统为NVIDIA GB300平台，即Blackwe...
11 月 28 日消息，在美国圣路易斯举行的超级计算大会 2025（sc25）上，sk 海力士于 2025 年 11 月 16 日至 21 日集中亮相，全面展示了其面向人工智能（ai）与高性能计算（hpc）时代的一系列前沿存储解决方案。
此次展会中，SK 海力士聚焦 HBM、DRAM 和企业级固态硬盘（eSSD）三大核心产品线，并特别设置了针对 AI 与 HPC 应用场景的现场演示区域，直观呈现其技术优势。
在展台中心位置，SK 海力士重点推出了包括全球首款 12...
12 月 1 日消息，据韩国媒体 the elec 在上周（11 月 27 日）报道，三星电子将在明年 2 月举办的国际固态电路会议（isscc）上发布其 hbm4 技术。
消息称，三星此次计划展示的 HBM4 拥有 36GB 容量和高达 3.3TB/s 的带宽，相较此前展出的 36GB、2.4TB/s 版本，在传输速率方面实现显著提升。该进展得益于堆叠结构优化以及接口的重新设计，从而在速度与能效表现上均获得增强。
业内人士指出：“三星在每个通道中引入了针对硅通孔（T...
12月14日最新消息，jedec协会正加速推进一项全新内存规范——“sphbm4”（标准封装高带宽内存第四代）的制定工作。该标准仅需512-bit位宽即可达成完整的hbm4级带宽水平，并原生支持传统有机基板封装，从而在提升容量的同时显著降低集成门槛与制造成本。
简而言之，SPHBM4定位为介于主流DDR内存与前沿HBM技术之间的过渡型高性能内存方案，旨在覆盖HBM因成本与工艺限制而难以渗透的中高端AI推理、网络设备、边缘计算等细分市场，但其设计初衷并非替代显卡中的GDD...