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12月12日最新消息，瑞银集团近期发布的一份研究报告显示，受人工智能应用爆发式增长以及存储芯片产能结构性调整等多重因素驱动，2024年第四季度dram与nand闪存的合约价格涨幅将显著高于此前市场预期。 据瑞银预测，本季度DDR内存合约价将较上一季度上涨35%，NAND闪存合约价亦将环比攀升20%。 报告强调，当前全球存储芯片库存已降至历史低位，核心原因在于终端客户采购意愿强烈、节奏加快，反映出真实终端需求持续旺盛。 其中，面向PC及智能手机的DDR内存库存仅能支撑...

12月8日消息，据trendforce最新披露，当前智能手机所用dram库存已跌破4周大关，进入显著偏低区间，明显低于行业公认的8至10周健康水位线。 受此影响，预计自2026年一季度起，各大手机厂商将被迫启动紧急采购，即使面对持续走高的价格压力，也不得不接受涨价以维持产线稳定运转。 值得注意的是，过去几年智能手机存储规格快速升级的势头有望在明年出现阶段性放缓。已有部分品牌着手优化BOM结构，计划将主力机型的标准配置由“12GB+512GB”调整为更具成本弹性的“8G...