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消息称三星电子 HBM3E 内存性能未达要求,2024 年内难以向英伟达供应

消息称三星电子 HBM3E 内存性能未达要求,2024 年内难以向英伟达供应
本站 12 月 11 日消息,韩媒 hankooki 当地时间昨日表示,三星电子由于 8 层、12 层堆叠 hbm3e 内存样品性能未达英伟达要求,难以在今年内正式启动向这家大客户的供应,实际供货将落到 2025 年。 报道表示,三星电子早在 2023 年 10 月就开始向英伟达供应 HBM3E 内存的质量测试样品,但一年多的时间内三星 HBM3E 的认证流程并未取得明显进展。 韩媒援引消息人士的观点称,由于 SK 海力士在 HBM3E 上的领先地位,实际上为这...

消息称 SK 海力士加速准备 16Hi HBM3E 量产,已启动全面生产测试

消息称 SK 海力士加速准备 16Hi HBM3E 量产,已启动全面生产测试
据韩国媒体 etnews 报道,sk 海力士已加快 16hi(16 层堆叠)hbm3e 内存的量产准备工作,目前已全面启动生产测试,为明年初的样品交付和 2025 年上半年的规模化量产奠定基础。 SK 海力士这款 16Hi HBM3E 内存采用 24Gb DRAM 芯片和先进的 MR-RUF 键合技术,单堆栈容量达到 48GB,相比上一代 12Hi HBM3E,其 AI 训练和推理性能分别提升了 18% 和 32%。 值得一提的是,16Hi 堆叠技术将在下一代 H...

三星要做第二大HBM4供应商:上马最先进内存工艺 供货Rubin GPU

三星要做第二大HBM4供应商:上马最先进内存工艺 供货Rubin GPU
9月12日消息,sk海力士这几年来靠hbm内存翻身成为第一大内存厂商,这两天又宣布首发量产hbm4内存,领先优势进一步扩大。 原来的老大三星也坐不住了,但他们短时间内超越SK海力士的HBM优势也不太可能,进度落后至少三个月,所以他们希望能做第二大HBM4供应商。 三星计划在明年Q1季度完成HBM4认证,以便能赶上下半年放量供应的NVIDIA下代GPU Rubin系列,后者将用上288GB HBM4内存。 目前三星的HBM4已经完成内部量产,并准备生产样品给客户测试。...

黄仁勋曾称英伟达会被其取代!华为将自研HBM内存 直面韩系厂商

黄仁勋曾称英伟达会被其取代!华为将自研HBM内存 直面韩系厂商
9月18日消息,在今天的华为全联接大会上,官方公布了昇腾路线图,引来业界围观。 徐直军表示,华为预计2026年第一季度推出昇腾950PR芯片,四季度推出昇腾950DT,2027年四季度推出昇腾960芯片,2028年四季度推出昇腾970芯片。 值得一提的是,这次大会上,华为表示将自研HBM,其中昇腾950PR会搭载。 按照华为官方的说法,将打造基于Ascend 950全球最强节点Atlas 950 SuperPoD,该节点拥有8192 NPU,算力高达8 EFLOPS...

2027年问世 三星预告下一代HBM4e内存:带宽3.25TB/s

2027年问世 三星预告下一代HBM4e内存:带宽3.25TB/s
10月15日消息,高性能ai计算不仅需要极强的gpu性能,内存带宽也逐渐成为瓶颈,hbm内存已经是必需品,明年会进入hbm4时代,再下一代则是hbm4e。 三星在HBM3、HBM3e时代都落后给了SK海力士,但从HBM4开始加速追赶,计划在HBM4e时代实现反超。为此,三星宣布将于2027年推出其新一代HBM4e内存,规格表现极为亮眼。 三星的HBM4e内存单引脚数据传输速率将至少达到13Gbps,在2048bit位宽下实现高达3.25TB/s的内存带宽,相较此前规划...

消息称三星 HBM3E 已量产供货英伟达,HBM4 产能被预订一空

消息称三星 HBM3E 已量产供货英伟达,HBM4 产能被预订一空
感谢网友 風見暉一 提供的线索! 11 月 1 日消息,科技媒体 sammyguru 于昨日(10 月 31 日)发布最新博文指出,受人工智能(AI)产业迅猛发展的推动,三星的高带宽内存(HBM)业务正迎来显著回暖,其 HBM4 芯片在 2026 年的全部计划产能已被预订一空。 三星在近期公布的 2025 年第三季度财报中透露,公司存储业务当季销售额创下历史新高。财报明确表示,HBM3E 芯片“目前已进入量产阶段,并已向所有目标客户稳定供货”。 该报道认为,这一...

打破垄断!中科飞测首台晶圆平坦度测量设备出货HBM客户端

打破垄断!中科飞测首台晶圆平坦度测量设备出货HBM客户端
11月24日,据相关报道,中科飞测官方公众号发布消息,公司首台晶圆平坦度测量设备ginkgoifm-p300已正式发货,并交付给hbm(高带宽存储器)领域的客户。 作为半导体先进制程中的核心工艺控制装备,该设备专为满足图案化与非图案化晶圆在几何形貌和纳米级表面特征方面的高精度检测需求而研发,能够对多种类型的晶圆实现精准量测。 GINKGOIFM-P300基于中科飞测成熟的技术平台开发,集成创新的硬件架构与智能化算法系统,为集成电路制造商提供覆盖研发验证到大规模生产全流...

三星电子整合HBM技术路线 核心团队并入DRAM开发体系

三星电子整合HBM技术路线 核心团队并入DRAM开发体系
11月28日,据相关报道,三星电子近日对其高带宽存储器(hbm)研发团队进行了组织架构调整,取消原属半导体业务部门(ds)的独立hbm开发团队,将其人员整体划归至dram开发室。 此举引发了业界对三星在hbm领域发展节奏及内部协作机制的关注。 在此次调整中,原HBM团队成员将并入DRAM开发室下属的设计小组,继续承担下一代HBM产品的技术攻关与设计工作。此前负责HBM项目的孙永洙被任命为该设计小组的新负责人,全面主导后续研发进程。 未来,团队将集中力量推进HBM4与H...

谷歌TPU扩张重塑HBM市场格局 三星将迎新机遇

谷歌TPU扩张重塑HBM市场格局 三星将迎新机遇
12月1日消息,随着谷歌自研ai芯片tpu生态的不断扩展,高带宽内存(hbm)市场的竞争格局正发生深刻变化。 尽管三星与美光等厂商在英伟达GPU配套的HBM领域展开激烈角逐,但由于产能限制,美光已基本停止为谷歌定制化芯片(ASIC)供应HBM产品,这进一步巩固了韩国企业在谷歌供应链中的核心地位。 据TrendForce分析,谷歌正通过其合作伙伴博通采购三星的HBM3E产品,预计至2026年,三星将持续作为谷歌TPU项目的主要HBM供应商。 虽然SK海力士在2025年...

投资96亿美元!美光拟在日本建HBM工厂

投资96亿美元!美光拟在日本建HBM工厂
12月1日,据知情人士透露,美光科技(micron)拟投资约1.5万亿日元(约合96亿美元),在日本广岛的现有厂区内兴建一座全新的工厂,专门用于制造面向人工智能应用的高带宽内存(hbm)芯片。 新厂预计将于明年5月启动建设,并计划从2028年开始实现产品出货。此举被视为美光推动全球生产布局多元化的重要战略步骤,旨在降低对台湾地区等单一制造基地的依赖,提升供应链安全。 为支持本土半导体产业复苏,日本经济产业省将为该项目提供最高达5000亿日元的财政补贴,希望通过此类激励...