中国光刻胶领域取得新突破!首次合成分辨率优于5nm的微观三维“全景照片”
10月26日,我国在光刻胶研究领域迎来重要进展!
据《科技日报》报道,北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及其合作者,创新性地采用冷冻电子断层扫描技术,首次在液相环境中实现了对光刻胶分子微观三维结构、界面分布及缠结行为的原位解析,并据此提出了一套可显著降低光刻缺陷的产业化改进方案。 该研究成果已发表于国际权威期刊《自然·通讯》。
作为集成电路制造中的核心技术之一,光刻工艺推动着芯片制程不断向更小尺寸演进。
通俗地说,光刻胶就像是芯片制造过程中的“雕刻颜料”,其关...