本站 11 月 21 日消息，sk 海力士刚刚宣布开始量产全球最高的 321 层 1tb（太比特，与 tb 太字节不同）tlc（triple level cell）4d nand 闪存。据介绍，此 321 层产品与上一代相比数据传输速度和读取性能分别提高了 12% 和 13%，并且数据读取能效也提高 10% 以上。
SK 海力士表示，“公司从 2023 年 6 月量产当前最高的上一代 238 层 NAND 闪存产品，并供应于市场，此次又率先推出了超过 300 层的...
11 月 12 日消息，据 chosunbiz 报道，三星电子、sk 海力士、铠侠、美光等全球八大 nand 闪存制造商正联合缩减今年下半年的 nand 闪存供应。业内分析认为，这一减产举措虽不可避免地带来产出下滑，但一方面有助于通过控制供给推动价格回升，另一方面各大厂商也在加快将生产线转向四层单元（qlc）制程，以满足人工智能（ai）数据中心对高密度存储日益增长的需求。
与此同时，三星电子、SK 海力士与铠侠正在推动提升 NAND 闪存价格，此前该产品全年均价长期...
12 月 1 日消息，据韩国媒体 the elec 在上周（11 月 27 日）报道，三星电子将在明年 2 月举办的国际固态电路会议（isscc）上发布其 hbm4 技术。
消息称，三星此次计划展示的 HBM4 拥有 36GB 容量和高达 3.3TB/s 的带宽，相较此前展出的 36GB、2.4TB/s 版本，在传输速率方面实现显著提升。该进展得益于堆叠结构优化以及接口的重新设计，从而在速度与能效表现上均获得增强。
业内人士指出：“三星在每个通道中引入了针对硅通孔（T...